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西(xi)晶(jing)微電(dian)(dian)子科(ke)技(ji)(ji)有(you)限公(gong)司(si)(si)(si)（以下簡(jian)稱(cheng)“西(xi)晶(jing)微電(dian)(dian)子”）成立(li)于2019年(nian)9月，總部坐落于安徽(hui)蕪湖(hu)(hu)高新(xin)(xin)區(qu)科(ke)技(ji)(ji)產(chan)業園。公(gong)司(si)(si)(si)屬(shu)于寬禁帶功率(lv)芯(xin)片IDM半導體(ti)廠商，主要從事(shi)寬禁帶半導體(ti)分(fen)立(li)器件(jian)和(he)半導體(ti)集成電(dian)(dian)路研(yan)(yan)發(fa)設計(ji)(ji)、制(zhi)造、銷售及(ji)技(ji)(ji)術(shu)咨(zi)詢服務(wu)等。公(gong)司(si)(si)(si)具(ju)備(bei)先進的(de)技(ji)(ji)術(shu)創新(xin)(xin)能力、良(liang)好(hao)的(de)市場信譽和(he)業務(wu)網絡，公(gong)司(si)(si)(si)于2019年(nian)成功入選蕪湖(hu)(hu)市高層(ceng)次(ci)科(ke)技(ji)(ji)人才團隊，2021年(nian)聯合西(xi)電(dian)(dian)蕪湖(hu)(hu)研(yan)(yan)究院(yuan)成功獲批安徽(hui)省第(di)三代半導體(ti)產(chan)業創新(xin)(xin)中心(xin)。作(zuo)為一家以SiC功率(lv)器件(jian)制(zhi)造、設計(ji)(ji)和(he)銷售為主的(de)科(ke)技(ji)(ji)公(gong)司(si)(si)(si)，公(gong)司(si)(si)(si)的(de)研(yan)(yan)發(fa)人員占(zhan)比(bi)超過了 70%，博(bo)士研(yan)(yan)究生以上學(xue)歷(li)占(zhan)比(bi)超過60%，核(he)心(xin)團隊畢業于清(qing)華大學(xue)、西(xi)交大、西(xi)安電(dian)(dian)子科(ke)技(ji)(ji)大學(xue)等知名院(yuan)校(xiao)，成員具(ju)有(you)雄厚的(de) SiC 器件(jian)芯(xin)片工藝開發(fa)、結構設計(ji)(ji)、測試分(fen)析及(ji)應用開發(fa)的(de)能力。
目前我司已有650V-3300V全電流SiC肖特基二(er)極管(guan)及SiC MOSFET成熟產(chan)品，并(bing)已通過相關可靠性測試(shi)，性能達(da)到先(xian)進水平，基于多年技術(shu)積累，公(gong)司同(tong)時(shi)可為客戶提供不同(tong)電壓、電流等(deng)級的定制產(chan)品。
未來我們將立(li)足前(qian)沿技術(shu)，不斷(duan)貼近客(ke)戶(hu)需求(qiu)，不片(pian)面追求(qiu)規模(mo)，致力(li)于成為(wei)SiC領域的(de)專精(jing)特新，致力(li)于為(wei)客(ke)戶(hu)帶來技術(shu)上的(de)持續提升，致力(li)于打造成為(wei)先進SiC半導體芯(xin)片(pian)產品、服務和解決(jue)方案提供商。
